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Q1全球前十大晶圓代工營(yíng)收排名出爐;三星宣布推出1Z納米制程DRAM;國(guó)內(nèi)又一碳化硅項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

發(fā)布者:管理員  2019/5/17 16:09:14

全球前十大晶圓代工營(yíng)收排名

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院在最新報(bào)告中指出,預(yù)估第一季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期衰退約16%,達(dá)146.2億美元。其中市占率排名前三的分別為臺(tái)積電、三星與格芯。盡管臺(tái)積電市占率達(dá)48.1%,但第一季營(yíng)收年成長(zhǎng)率衰退近18%。

2019年第一季晶圓代工業(yè)者排名與去年相比變化不大,僅力晶因12英寸代工需求下滑而面臨被高塔半導(dǎo)體反超的風(fēng)險(xiǎn)。

觀察前十大晶圓代工業(yè)者第一季的表現(xiàn),包括臺(tái)積電(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等業(yè)者,因12英寸晶圓代工市場(chǎng)需求疲軟,第一季營(yíng)收表現(xiàn)較去年同期下滑幅度均來(lái)到兩位數(shù)。

反觀以8英寸晶圓代工為主要業(yè)務(wù)的高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)、世界先進(jìn)(Vanguard)、華虹半導(dǎo)體(Hua Hong)、東部高科(Dongbu HiTek)等業(yè)者,盡管8英寸晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的現(xiàn)象已漸舒緩,年成長(zhǎng)率表現(xiàn)仍不如去年同期亮眼。但相較于以12英寸為主力的晶圓代工廠第一季兩位數(shù)的衰退幅度,可以說(shuō)其在半導(dǎo)體市場(chǎng)相對(duì)不景氣的第一季中穩(wěn)住陣腳。

國(guó)內(nèi)又一碳化硅項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

近日,媒體報(bào)道,位于山東青島萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項(xiàng)目正在加緊建設(shè),今年將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資10億元,占地約80畝,建筑面積5萬(wàn)平方米,主要生產(chǎn)高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅晶體襯底片。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬(wàn)片4英寸碳化硅晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

中科鋼研表示,未來(lái)將把國(guó)家級(jí)先進(jìn)晶體研究院設(shè)在萊西,專注碳化硅研發(fā)生產(chǎn),力爭(zhēng)在三年內(nèi)接近歐美最高水平。

目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外企業(yè)所壟斷。國(guó)內(nèi)市場(chǎng),已初步形成了涵蓋各環(huán)節(jié)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈,在政策利好以及市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下,國(guó)內(nèi)企業(yè)在這一環(huán)節(jié)正努力跟跑與趕超。

Q2 NAND Flash市場(chǎng)展望

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季。

展望第二季,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。

另一方面,NAND Flash供應(yīng)商紛紛透過(guò)抑制資本支出、減緩新制程產(chǎn)出比重,甚至透過(guò)減產(chǎn)壓抑產(chǎn)出,雖無(wú)法立即扭轉(zhuǎn)供過(guò)于求的態(tài)勢(shì),但對(duì)于市場(chǎng)環(huán)境確實(shí)有正面的幫助。

綜上所述,第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等產(chǎn)品合約價(jià)仍將繼續(xù)下跌,但跌幅相較第一季則是有所收斂,落在10~15%的水位。

聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體新進(jìn)展

聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體迎來(lái)重大進(jìn)展,3月21日,聞泰科技發(fā)布一系列公告,確定了發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(草案),草案的公告意味著整個(gè)交易方案已經(jīng)塵埃落定,走完股東大會(huì)審批流程后即可上報(bào)證監(jiān)會(huì)。

聞泰科技的主要客戶為國(guó)際知名電子品牌廠商,其產(chǎn)品包括智能手機(jī)、IoT、筆記本電腦等,安世半導(dǎo)體所生產(chǎn)的電子產(chǎn)品核心元器件雖然廣泛應(yīng)用于上述消費(fèi)電子及計(jì)算機(jī)產(chǎn)品當(dāng)中,但是40%客戶和市場(chǎng)在歐美,40%以上的營(yíng)收來(lái)自于汽車功率半導(dǎo)體。

熟悉全球市場(chǎng)的聞泰科技可將安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品大量引入到全球知名的手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、智能硬件等品牌客戶當(dāng)中,幫助安世在消費(fèi)電子、IoT、筆記本電腦市場(chǎng)領(lǐng)域擴(kuò)大市場(chǎng)份額。雙方的合作將為未來(lái)雙方的發(fā)展發(fā)揮出“1+1>2”的協(xié)同效應(yīng)。

如果順利通過(guò)證監(jiān)會(huì)審批,在5G正式商用的前一年完成這筆中國(guó)最大的半導(dǎo)體收購(gòu)案,雙方都迎來(lái)難得的發(fā)展良機(jī)。

廈門鑫天虹項(xiàng)目正式投產(chǎn)

日前,廈門火炬高新區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目鑫天虹公司正式投產(chǎn)。

2018年11月,鑫天虹項(xiàng)目正式落戶廈門火炬高新區(qū)。據(jù)悉,該項(xiàng)目計(jì)劃總投資2億美元,落戶后項(xiàng)目在短短三個(gè)月時(shí)間內(nèi)完成了萬(wàn)級(jí)、千級(jí)無(wú)塵車間的建設(shè),預(yù)計(jì)這個(gè)月底將可交付第一臺(tái)半導(dǎo)體,隨著產(chǎn)能逐步提升,預(yù)計(jì)投產(chǎn)后第五年?duì)I收可達(dá)3.8億元。

廈門作為中國(guó)集成電路主要新興城市之一,現(xiàn)已聚集了聯(lián)芯、士蘭微、星宸、美日光罩等一系列企業(yè),逐漸形成集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。報(bào)道稱,鑫天虹是廈門首家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè),該項(xiàng)目投產(chǎn)將彌補(bǔ)設(shè)備環(huán)節(jié)的缺失,進(jìn)一步完善廈門集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。

近年來(lái),國(guó)內(nèi)正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),但最“卡脖子”的環(huán)節(jié)其實(shí)是材料設(shè)備業(yè),國(guó)內(nèi)大多制造設(shè)備仍依賴進(jìn)口,不少地方政府亦正在努力補(bǔ)足這一環(huán)節(jié),如無(wú)錫等城市亦大力推動(dòng)設(shè)備業(yè)發(fā)展。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布,首次業(yè)界開發(fā)第3代10納米等級(jí)(1Z納米制程)8GB高性能DRAM。這也是三星發(fā)展1Y納米制程DRAM之后,經(jīng)歷16個(gè)月,再開發(fā)出更先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品。

三星表示,1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2019下半年,以應(yīng)對(duì)下一代企業(yè)服務(wù)器需求,并有望能在2020年支援新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。

隨著1Z納米制程產(chǎn)品問世,并成為業(yè)界最小的存儲(chǔ)器生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),目前三星已準(zhǔn)備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,生產(chǎn)效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示,1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2019下半年,以應(yīng)對(duì)下一代企業(yè)服務(wù)器需求,并有望能在2020年支援新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。

除了提供市場(chǎng)需求,三星還指出,跨入1Z納米制程的DRAM生產(chǎn),將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面,包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預(yù)做準(zhǔn)備。

圖片聲明:封面圖片來(lái)源于正版圖片庫(kù),拍信網(wǎng)。

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轉(zhuǎn)自https://www.dramx.com/Topic/20190323-16134.html

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